2SD965L-R-T92-B 数据手册

2SD965L-R-T92-B

数据手册规格

数据手册名称 2SD965L-R-T92-B
文件大小 63.569 千字节
文件类型 pdf
页数 5

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技术规格

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: UTC(Unisonic Tech) 2SD965L-R-T92-B
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 5A
  • Power Dissipation (Pd): 750mW
  • Transition Frequency (fT): 150MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 230@500mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 20V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1V@3A,100mA
  • Package: TO-92-3
  • Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)